Ulkomaisten tiedotusvälineiden raporttien mukaan Wuhanin yliopiston professori Zhou Shengjunin johtama tutkimusryhmä kehitti tehokkaan GaN-pohjaisen vihreän LED-valon safiirialustalle. Tutkimusryhmä ehdottaa, että käytetään hybridiydinkerrosta (Hybrid Nucleation Layer), joka koostuu sputteroidusta AIN: stä (Sputtered AlN) ja keskilämpötilan GaN-laitteista GaN-pohjaisten vihreiden LEDien kvanttitehokkuuden parantamiseksi.
Tällä hetkellä tehokkaiden III-nitridipäästöjen aiheuttajien kehittäminen koko näkyvällä alueella on erittäin houkuttelevaa, ja moniväristen III-nitridipäästöjen aiheuttajien fuusio mahdollistaa tehokkaan ja tarkan hybridispektrien hallinnan, mikä johtaa korkean resoluution näyttöihin ja erilaisiin älykkäisiin valaistussovelluksiin, mutta suurin este tällä hetkellä on III-nitridilähettimien heikko tehokkuus vihreällä ja ruskealla spektrialueella.
Tätä varten Wuhanin yliopiston tutkijat käyttivät uutta hybridiydinkerrosta valmistaakseen tehokkaita InGaN / GaN-vihreitä LED-valoja safiirialustoille. Tuotantoprosessin aikana sekoitettu nukleaatiokerros ja GaN-pinta luovat pinoamisvirherakenteen, joka auttaa saavuttamaan misfit-stressin kompensoinnin.
Alkuvaiheen lämpöristiriidan stressin höllentämisestä hyötyen vihreiden LEDien disloaction-tiheys ja jäännösjännitys vähenevät. Tämän seurauksena tutkimusryhmä paransi tehokkuutta noin 16% massatuotannon aikana.
Wuhanin yliopiston tutkimusryhmä sanoi, että hybridiydinkerroksen sovellusnäkymä on erittäin lupaava tehokkaiden III-nitridipäästöjen aiheuttajien toteuttamiseksi vihreällä tai kelta-ruskealla alueella.
