Muutama päivä sitten Itävallan Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co., Ltd. julkaisi 2 tuuman (~ 50,8 mm) korkealaatuisen alumiininitridin yksikiteisen alustan ja aloitti pieneräisen massatuotannon.
UTI-AlN-050B-sarjan 2-tuumaiset korkealaatuiset AlN-yksikiteiset substraatit ja muut koot AlN-yksikiteisiä alustoja
On raportoitu, että alumiininitridi (AlN) on uuden sukupolven erittäin leveitä kaistanväleisiä puolijohdemateriaaleja, joilla on suuri kielletty kaistanleveys (jopa 6,2 eV), korkea lämmönjohtavuus, suuri hajoamiskentän voimakkuus, korkea lämpövakaus, ja hyvä syvä ultraviolettiläpinäkyvyys. Erinomaisia suorituskykyetuja, kuten yliarvostusta, mutta AlN -yksikiteiden kasvun vaikeuden ja ankarien olosuhteiden vuoksi sen valmistaminen on paljon vaikeampaa kuin SiC, GaN jne.
Vaikka pienikokoisia AlN-yksittäikiteitä on käytetty laajalti laitekehityksessä, rajoitettu kiekkojen koko ja tuotanto eivät voi vastata laajamittaisen tuotantolinjan valmistuksen tarpeisiin liittyvillä aloilla. Tämä on aina ollut tärkein este AlN-yksikiteisten alustojen laajamittaiselle levitykselle. Yksi pullonkauloista.
Tällä kertaa 2 tuuman alumiininitridi-yksikiteinen alusta tulee aikataulun mukaisesti. Suuritehoisten syvien ultravioletti-LED-valojen, ultravioletti-LED-valojen, ultravioletti-ilmaisimien, ultraviolettivaroituksen ja suuritehoisten, korkeataajuisten, korkean lämpötilan elektronisten laitteiden ja muiden kenttien odotetaan avaavan suuritehoisia siruja. Parhaat alustamateriaalit ja -ratkaisut.
